• Increase font size
  • Default font size
  • Decrease font size

2017-12-15 Fabian Hosenfeld

Tesi Doctoral sobre la modelització compacte de transistors DG MOSFETs amb canals curts , tenint en compte el corrent túnel, i l'aplicació del model a transistors Tunnel FETs

birret3Títol: "NEGF Based Analytical Modeling of Advanced MOSFETs".                                                   

Autoa: Sr. Fabian Hosenfeld Directors:  Dr. François Lime, Dr. Benjamí Iñiguez, Dr. Alexander Kloes

Lloc: Sala de Graus de la ETSE  Data: Divendres 15 de desembre de 2017 a les 11:00 h 

Normal 0 21 false false false CA X-NONE X-NONE MicrosoftInternetExplorer4 Nicolau Cañellas Alberich
Mes anterior Abril 2018 Proper mes
L M X J V S D
week 13 1
week 14 2 3 4 5 6 7 8
week 15 9 10 11 12 13 14 15
week 16 16 17 18 19 20 21 22
week 17 23 24 25 26 27 28 29
week 18 30
Entra

Accedeix al teu compte

nom d'usuari *
contrasenya *
Recordar